技术摘要：
本发明属于晶圆加工设备技术领域，具体涉及一种气流扩散装置及扩散炉。所述气流扩散装置包括外壳，设于所述外壳的内部的内管，所述内管包括处于不同竖直高度的第一端和第二端，且所述第一端高于所述第二端设置；设于所述第一端的盖体，所述盖体与所述内管相连或所述盖  全部
背景技术：
在晶圆加工过程中通过扩散工艺向晶圆中添加其他杂质，其中包括将包含有杂质 原子的气体通入至反应室内，并在一定温度下将杂质原子融入至晶圆中。由于用于扩散的 反应室内的进气方式通常采用开放式的结构，即进气端无气流分配结构，有可能需要通入 大量的气体用于扩散，从而造成气体的浪费。更严重的，反应室内的气流流动性差，容易造 成扩散室内的温度分布不均匀及气体浓度不均匀，从而影响杂质的分布，导致扩散层的厚 度不一致。
技术实现要素：
根据一个或多个实施方式，一种气流扩散装置，包括：外壳；设于所述外壳的内部 的内管，所述内管包括处于不同竖直高度的第一端和第二端，且所述第一端高于所述第二 端设置；设于所述第一端的盖体，所述盖体与所述内管相连或所述盖体为所述内管的一部 分，所述盖体上设有气流过孔。 根据一个或多个实施方式，一种扩散炉包括上述实施方式中的气流扩散装置。 附图说明 通过阅读下文