技术摘要：
本发明涉及量子点发光材料技术领域，尤其涉及一种核壳结构量子点及其制备方法。本发明提供了一种核壳结构量子点的制备方法，包括以下步骤：将铟盐与有机溶剂混合，得到铟前驱体溶液；将所述铟前驱体溶液与磷前驱体溶液混合，进行晶核生长，得到InP量子点晶核；将所述In  全部
背景技术：
磷化铟(InP)相关核壳结构荧光量子点(QDs)理论上不但具有荧光量子产率高、光 化学稳定性强、单色性佳、荧光发射峰随粒径连续可调等优异特性，而且相对于传统的含有 Cd、Pb、Hg重金属的荧光量子点具有低毒性、环境友好等优点，被认为是当前最具有应用前 景的荧光量子点。然而在合成InP相关核壳结构量子点时，长期存在着一个难以逾越的难 题，即InP晶核合成后很容易受到氧化，在InP表面形成InPOx或者In2O3，从而造成了晶核表 面缺陷，进而造成了壳层生长困难和核壳结构量子点产率较低。因此，如何通过对InP晶核 合成过程降低表面氧化或合成之后对表面进行修饰处理从而消除表面氧化造成的缺陷，是 进一步构筑高质量InP核壳结构量子点的关键因素。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种核壳结构量子点及其制备方法，所述制备方法中的去 氧化处理可以有效的消除InP表面的氧化层，进而有效的生长壳层结构，进而提高了核壳结 构量子点的产率和光学稳定性。 为了实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案： 本发明提供了一种核壳结构量子点的制备方法，包括以下步骤： 将铟盐与有机溶剂混合，得到铟前驱体溶液； 将所述铟前驱体溶液与磷前驱体溶液混合，进行晶核生长，得到InP量子点晶核； 将所述InP量子点晶核进行去氧化处理后，以所述InP量子点晶核为核，在所述InP 量子点晶核的表面生长壳层结构，得到核壳结构量子点； 所述去氧化处理采用的试剂为氟化物、硒化物或硫化物。 优选的，所述铟盐包括醋酸铟、碘化铟、氯化铟、油酸铟和硬脂酸铟中的一种或几 种； 所述有机溶剂包括有机酸、油胺、三辛胺、石蜡、十八稀、二十烷、二十四烷和矿物 油中的任意一种； 所述有机酸包括十碳酸、十二碳酸、十四碳酸、十六碳酸和油酸中的任意一种； 所述磷前驱体溶液中的磷前驱体包括三(三甲硅烷基)磷、三(二甲胺基)磷和二乙 氨基磷中的一种或几种。 优选的，所述铟盐与有机溶剂的混合温度为80～150℃； 所述晶核生长的温度为260～350℃，所述晶核生长的时间为10～120min。 优选的，所述氟化物包括氟化铵和/或氟化氢； 所述硒化物包括硒化氨和/或硒化氢； 3 CN 111592877 A 说　明　书 2/8 页 所述硫化物包括硫化铵和/或硫化氢。 优选的，所述去氧化处理的过程包括以下步骤： 制备InP量子点晶核溶液； 将所述InP量子点晶核溶液与所述去氧化处理采用的试剂混合，进行氧化还原反 应； 所述去氧化处理采用的试剂以溶液的形式加入。 优选的，所述氧化还原反应的温度为80～220℃，时间为1～60min。 优选的，所述壳层结构为ZnS层、ZnSe层和ZnSeS层中的一层或几层。 优选的，所述壳层结构的锌源包括氯化锌、硝酸锌、油酸锌、硬脂酸锌、癸酸锌、月 桂酸锌、十四酸锌、二十酸锌和二十四酸锌中的一种或几种； 所述ZnS层或ZnSeS层的硫源包括硫、硫化氢、硫化氨和硫醇中的一种或几种； 所述ZnSe层或ZnSeS层的硒源包括硒和/或硒化氢。 优选的，在所述InP量子点晶核的表面生长壳层结构的温度为300～350℃，时间为 10～100min。 本发明还提供了上述技术方案所述的制备方法制备得到的核壳结构量子点，所述 核壳结构量子点的荧光光谱波长范围为520～660nm。 本发明提供了一种核壳结构量子点的制备方法，包括以下步骤：将铟盐与有机溶 剂混合，得到铟前驱体溶液；将所述铟前驱体溶液与磷前驱体溶液混合，进行晶核生长，得 到InP量子点晶核；将所述InP量子点晶核进行去氧化处理后，以所述InP量子点为核，在所 述InP量子点的表面生长壳层结构，得到核壳结构量子点；所述去氧化处理采用的试剂为氟 化物、硒化物或硫化物。所述去氧化处理剂能够很好的与InP表面形成的氧化物发生氧化还 原反应去除表面氧元素，从而减少由于氧元素形成的缺陷。具体的，氟化物能和InPOx或者 In2O3反应后去除氧元素，形成InP-F或In-F，然后与Se或者S反应形成InP-或者In-的Se或者 S化物，减少氧引起的缺陷；采用硒化物或硫化物直接就可以去除氧并形成InP-或者In-的 Se或者S化物。InP-或者In-的Se或者S化物是我们所需要合成的InP/ZnSe或者InP/ZnS的中 间层。根据实施例的记载，利用本发明所述的制备方法制备得到的核壳结构量子点的产率 在80％以上，荧光峰位覆盖范围为520～660nm。 附图说明 图1为实施例1制备InP/ZnSe/ZnS过程中的荧光变化图； 图2为实施例1制备得到的InP/ZnSe/ZnS的TEM图； 图3为实施例2制备InP/ZnSe/ZnS过程中的荧光变化图； 图4为实施例2制备得到的InP/ZnSe/ZnS的TEM图； 图5为实施例3制备InP/ZnS过程中的荧光变化图； 图6为实施例3制备得到的InP/ZnS的TEM图； 图7为实施例4制备InP/ZnSeS过程中的荧光变化图； 图8为实施例4制备得到的InP/ZnSeS的TEM图； 图9为实施例5制备得到的InP/ZnSe/ZnS的TEM图； 图10为实施例5制备得到的InP/ZnSe/ZnS的TEM图； 4 CN 111592877 A 说　明　书 3/8 页 图11为实施例1～5得到的InP核壳结构量子点随纯化次数增加的量子产率变化 图； 图12为实施例1～5得到的InP核壳结构量子点随光照时间的量子产率变化图。