技术摘要：
本发明公开一种柔性AMOLED面板封装结构及其封装方法，方法包括步骤：在带有TFT电路以及OLED器件的柔性玻璃基板上制作阻隔墙，所述阻隔墙环设于所述TFT电路、OLED器件四周，且与所述TFT电路、OLED器件具有间隔。制作封装层，所述封装层覆盖于所述阻隔墙、TFT电路以及OLE  全部
背景技术：
AMOLED全称为：Active-matrix  organic  light-emitting  diode，译为：有源矩阵 有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)是一种显示屏技术。其中“OLED”为有机发光 二极体(Organic  Light  Emitting  Diode，OLED)显示器；“AM”为有源矩阵体或称主动式矩 阵体是指背后的像素寻址技术。与较传统的TFT-LCD显示器相比，其具备自发光，不需背光 源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于柔性显示屏、构造较简单等优异特性，成 为了现今主流的显示屏技术。 AMOLED显示技术核心难点在于OLED器件的发光性能和使用效率，由于OLED器件所 使用的发光材料对水氧极其的敏感，一旦有水氧与OLED器件接触就会导致OLED器件发光效 率降低，甚至是直接失效。现今封装技术视玻璃基板材料分为柔性面板封装和硬性面板封 装两种，其中硬性面板封装主要包括：Laser  Frit封装、UV胶&填充剂封装等技术，而柔性面 板封装则有：单层薄膜封装、多层薄膜封装等技术。 目前柔性面板的封装应用最多的则是多层薄膜封装技术，多层薄膜结构主要有三 层或是五层薄膜结构堆叠而成，薄膜结构中包含有机缓冲层和无机密封层，采用的主要技 术为等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术、等离子增强原子沉积(PEALD)技术、真空蒸镀 技术以及喷墨打印技术(IJP)。
技术实现要素：
为此，需要提供一种柔性AMOLED面板封装结构及其封装方法，阻隔水氧进入OLED 显示器中，确保AMOLED显示器的品质，以及AMOLED显示器产品寿命和发光效率。 为实现上述目的，发明人提供了一种柔性AMOLED面板封装方法，包括步骤： 在带有TFT电路以及OLED器件的柔性玻璃基板上制作阻隔墙，所述阻隔墙环设于 所述TFT电路、OLED器件四周，且与所述TFT电路、OLED器件具有间隔； 制作封装层，所述封装层覆盖于所述阻隔墙、TFT电路以及OLED器件上，用于阻止 水氧的接触OLED器件以及TFT电路。 进一步地，在制作封装层时还包括如下步骤： 制作第一无机层； 于第一无机层上制作第一有机层； 制作第二无机层，将所述第一无机层、第一有机层完全覆盖； 制作第二有机层，将所述第二无机层完全覆盖； 制作第三无机层，将所述第二有机层完全覆盖。 进一步地，还包括步骤： 3 CN 111599935 A 说　明　书 2/5 页 沉积强化密封层。 进一步地，形成所述阻隔墙包含三层阶梯式阻隔墙为第一阻隔墙、第二阻隔墙、第 三阻隔墙； 所述第一阻隔墙靠近所述OLED器件，且所述第一阻隔墙、第二阻隔墙、第三阻隔墙 依次增高，每层阻隔墙之间设有间隔。 进一步地，所述第一阻隔墙位于所述第一无机层内；所述第二阻隔墙设置于所述 第一无机层外侧，且位于所述第二无机层内；所述第三阻隔墙设置于所述第二有机层外侧， 且位于所述第三无机层内。 发明人还提供了一种柔性AMOLED面板封装结构，其特征在于，包括：封装层、阻隔 墙、OLED器件、TFT电路以及柔性玻璃基板； 所述OLED器件、TFT电路设于所述柔性玻璃基板上； 所述阻隔墙环设于所述OLED器件以及TFT电路四周，且与所述TFT电路、OLED器件 具有间隔，所述封装层设置于所述OLED器件、TFT电路以及阻隔墙上。 进一步地，还包括强化密封层；所述强化密封层设置于封装层上。 进一步地，所述阻隔墙为三层阶梯式阻隔墙，靠近OLED器件的阻隔墙低于最外层 阻隔墙，且每层阻隔墙之间设有间隔。 进一步地，所述阻隔墙顶部为纳米波纹。 进一步地，所述封装层由内至外包括：第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二 有机层以及第三无机层。 区别于现有技术，上述技术方案提供了一种柔性AMOLED面板封装结构及其封装方 法。由于薄膜封装在形成无机密封层和有机缓冲层都是一层一层地形成，每一层都是一个 整体的薄膜，一旦薄膜边缘开始出现裂痕，裂痕将沿着裂口不断地向薄膜内部沿伸，最终导 致薄膜封装结构密封性能失效。发明在OLED器件外围建立阻隔墙，将裂口隔离在OLED器件 外侧，用以防止裂口沿伸所导致薄膜封装结构密封性失效的问题。通过建立AMOLED显示器 件可靠的薄膜封装结构，弥补现今薄膜封装结构的缺陷并提高薄膜封装结构的密封性，以 达到提升AMOLED显示器的使用寿命和发光效率的目的。 附图说明 图1为一种柔性AMOLED面板封装方法流程图； 图2为一种柔性AMOLED面板封装结构的结构图。 附图标记说明： 1、TFT电路以及OLED器件； 10、 2、阻隔墙； 201、第一阻隔墙；202、第二阻隔墙；203、第三阻隔墙； 3、封装层； 301、第一无机层；302、第一有机层；303、第二无机层； 304、第二有机层；305、第三无机层； 4、强化密封层。 4 CN 111599935 A 说　明　书 3/5 页