技术摘要：
提供一种晶圆的研磨方法，所述晶圆包括一功能面和与所述功能面相对的背面，其特征在于，所述研磨方法是在所述晶圆的所述功能面上贴覆一硬质保护层后，研磨所述晶圆的所述背面以去除所述晶圆的部分厚度，并经紫外光光照以分离所述硬质保护层后，以完成所述晶圆的研磨。
背景技术：
目前随着器件的体积越来越小，对于小薄封装的需求日益增加。有些封装产品的 芯片需要磨到很薄，例如芯片厚度小于等于50μm。 为了获得超薄芯片，目前的常规处理方法是在晶圆切片前对晶圆进行研磨，以获 得超薄晶圆，切片后即可获得超薄芯片。晶圆通常具有一功能面和与所述功能面相对的背 面，在现有的晶圆的研磨过程中，是在晶圆的功能面上贴覆保护膜，然后以研磨装置研磨晶 圆的背面，再取出保护膜后完成晶圆的研磨。 然而，在上述研磨过程中，当将晶圆的厚度被研磨得很薄时，例如晶圆的厚度被研 磨到小于等于50μm时，晶圆会发生很严重的翘曲问题，且容易产生破片问题，限制了超薄芯 片的应用。 因此，亟需一种新的晶圆的研磨方法，以满足薄芯片，尤其是厚度小于等于50μm的 超薄芯片的需求。
技术实现要素：
本申请的目的在于提供一种晶圆的研磨方法，利用硬质保护层在研磨过程中增加 晶圆的硬度，以防止研磨过程中晶圆发生翘曲。 为了解决上述问题，根据本申请的一方面，提供一种晶圆的研磨方法，其中，所述 晶圆包括一功能面和与所述功能面相对的背面；所述研磨方法是在所述晶圆的所述功能面 上贴覆一硬质保护层后，研磨所述晶圆的所述背面以去除所述晶圆的部分厚度，并经紫外 光光照以分离所述硬质保护层后，以完成所述晶圆的研磨。 在一些实施例中，所述硬质保护层通过一粘结层贴覆于所述晶圆的所述功能面 上，所述粘结层包括：接触并黏附所述晶圆的所述功能面的一第一膜层，以及，接触并黏附 所述硬质保护层的一第二膜层；其中，所述第二膜层受到紫外光光照时产生气体，以与所述 硬质保护层分离。 在一些实施例中，以波长254nm的紫外光光源进行紫外光光照，光照强度为  15000 ～25000mJ/cm2。在一些实施例中，所述光照强度可以是15000mJ/cm2，16000mJ/cm2，  17000mJ/cm2，18000mJ/cm2，19000mJ/cm2，20000mJ/cm2，21000mJ/cm2，22000mJ/cm2， 23000mJ/cm2，24000mJ/cm2，25000mJ/cm2。 在一些实施例中，紫外光光照的时间为5～15分钟。在一些实施例中，紫外光光照 的时间可以是5分钟、6分钟、7分钟、8分钟、9分钟、10分钟、11分钟、12分钟、13分钟、  14分 钟、15分钟。 在一些优选实施例中，所述研磨方法包括步骤：提供晶圆，并在所述晶圆的所述功 3 CN 111584417 A 说　明　书 2/4 页 能面上贴覆所述粘结层，使得所述粘结层的所述第一膜层接触并黏附所述晶圆的所述功能 面；在所述粘结层的所述第二膜层上贴覆所述硬质保护层，使得所述粘结层的所述第二膜 层接触并黏附所述硬质保护层；研磨所述晶圆的所述背面以去除所述晶圆的部分厚度；紫 外光光照以使所述粘结层的所述第二膜层与所述硬质保护层分离；以及，去除所述硬质保 护层后剥离所述粘结层，完成所述晶圆的研磨。 在一些实施例中，在研磨所述晶圆的所述背面以去除所述晶圆的部分厚度的步骤 之前，所述研磨方法还包括：增加所述第一膜层对所述晶圆的所述功能面的黏附力的步骤。 在一些实施例中，所述第一膜层对所述晶圆的所述功能面的黏附力通过热能及光 能而增加。 在一些实施例中，所述热能通过100～150℃烘烤20～60分钟获得。 在一些实施例中，所述光能通过以波长405nm的紫外光光源进行紫外光光照获得。 根据本申请的另一方面，提供一种晶圆的研磨方法，其中所述晶圆包括一功能面 和与所述功能面相对的背面，所述研磨方法包括步骤：提供晶圆，并在所述晶圆的所述功能 面上贴覆一粘结层；在所述粘结层上贴覆一硬质保护层；烘烤并第一次紫外光光照，以增加 所述粘结层对所述晶圆的所述功能面的黏附力；研磨所述晶圆的所述背面以去除所述晶圆 的部分厚度；第二次紫外光光照以使所述粘结层与所述硬质保护层分离；以及，去除所述硬 质保护层后剥离所述粘结层，完成所述晶圆的研磨。 由此，利用本申请所述的晶圆的研磨方法，利用硬质保护层在研磨过程中增加晶 圆的硬度，以防止研磨过程中晶圆发生翘曲。此外，在本申请所述的晶圆的研磨方法中，在 研磨完成中能够轻松地去除硬质保护层，以避免硬质保护层去除过程中导致超薄晶圆破片 的问题。因此，利用本申请所述的晶圆的研磨方法，可以实现厚度小于等于50μm的超薄晶圆 的稳定化量产，以满足市场对于小薄封装的需求。 附图说明 图1是根据本申请一实施例的晶圆的研磨方法的流程图； 图2A至图2C是根据本申请一实施例的晶圆的研磨方法的步骤中晶圆的结构示意 图； 图3A至图3C是根据本申请一实施例的晶圆的研磨方法的步骤中晶圆的截面图； 图4是根据本申请另一实施例的晶圆的研磨方法的流程图。