技术摘要：
提供了一种显示装置。所述显示装置包括：基底；栅极图案，设置在基底上；氧化物半导体层，设置在基底上，氧化物半导体层包括与栅极图案叠置的沟道区；以及绝缘膜，设置在栅极图案上，绝缘膜包括多数载流子支持离子，其中，栅极图案包括多个栅极孔，其中，栅极孔形成在  全部
背景技术：
随着多媒体的发展，对显示装置的需求已经增加。相应地，已经使用了诸如液晶显 示(LCD)装置和有机发光二极管(OLED)显示装置的各种类型的显示装置。OLED显示装置使 用通过电子和空穴的复合而产生光的有机发光元件来显示图像。通常，OLED显示装置包括 将驱动电流提供到有机发光元件的多个晶体管。
技术实现要素：
根据本发明的示例性实施例，一种显示装置包括：基底；栅极图案，设置在基底上； 氧化物半导体层，设置在基底上，氧化物半导体层包括与栅极图案叠置的沟道区；以及绝缘 膜，设置在栅极图案上，绝缘膜包括多数载流子支持离子，其中，栅极图案包括多个栅极孔， 其中，栅极孔形成在栅极图案的不与氧化物半导体层的沟道区叠置的区域内部，并且其中， 氧化物半导体层的沟道区包括多数载流子支持离子。 在本发明的示例性实施例中，绝缘膜包括氮化硅(SiNx)并且被构造为经由所述多 个栅极孔将多数载流子支持离子提供到氧化物半导体层的沟道区。 在本发明的示例性实施例中，多数载流子支持离子包括氢离子。 在本发明的示例性实施例中，氧化物半导体层还包括源区和漏区，其中，源区设置 为与沟道区相邻，其中，漏区与源区分隔开，并且其中，沟道区设置在源区与漏区之间。 在本发明的示例性实施例中，源区和漏区在厚度方向上不与栅极图案叠置。 在本发明的示例性实施例中，多数载流子支持离子在源区和漏区中的浓度高于多 数载流子支持离子在沟道区中的浓度。 在本发明的示例性实施例中，显示装置还包括设置在绝缘膜上的源电极和漏电 极，其中，源电极接触源区，其中，漏电极接触漏区，并且其中，氧化物半导体层、栅极图案、 源电极和漏电极构成晶体管。 在本发明的示例性实施例中，显示装置还包括发光二极管，其中，晶体管包括被构 造为将驱动电流传输到发光二极管的驱动晶体管。 在本发明的示例性实施例中，多数载流子支持离子在沟道区中的浓度基本是均匀 的。 在本发明的示例性实施例中，多数载流子支持离子在沟道区中的最小浓度在多数 载流子支持离子在沟道区中的最大浓度的0.9倍以内。 4 CN 111554736 A 说　明　书 2/15 页 在本发明的示例性实施例中，所述多个栅极孔至少部分地被栅极图案围绕，并且 从栅极图案的表面穿过栅极图案。 在本发明的示例性实施例中，所述多个栅极孔布置在氧化物半导体层的沟道区沿 其延伸的方向上。 在本发明的示例性实施例中，栅极图案包括第一栅极图案区域、第二栅极图案区 域以及与氧化物半导体层的沟道区叠置并且设置在第一栅极图案区域与第二栅极图案区 域之间的第三栅极图案区域；并且栅极孔设置在第一栅极图案区域和第二栅极图案区域 中。 在本发明的示例性实施例中，所述多个栅极孔的布置密度朝向氧化物半导体层的 沟道区的中心部分增大。 在本发明的示例性实施例中，栅极图案的所述多个栅极孔还设置在栅极图案的与 氧化物半导体层的沟道区叠置的区域中。 在本发明的示例性实施例中，设置在栅极图案的与沟道区叠置的区域中的所述多 个栅极孔的布置密度低于设置在栅极图案的不与沟道区叠置的区域中的所述多个栅极孔 的布置密度。 根据本发明的示例性实施例，一种显示装置包括：基底；栅极图案，设置在基底上； 氧化物半导体层，设置在基底上，氧化物半导体层包括与栅极图案叠置的沟道区；以及绝缘 膜，设置在栅极图案的上部分上，其中，栅极图案包括多个栅极孔，其中，栅极孔形成在栅极 图案的不与氧化物半导体层的沟道区叠置的区域内部，其中，绝缘膜被构造为经由所述多 个栅极孔将多数载流子支持离子提供到氧化物半导体层的沟道区，并且多数载流子支持离 子的浓度在氧化物半导体层的沟道区中基本是均匀的。 在本发明的示例性实施例中，多数载流子支持离子包括氢离子，并且氢离子在沟 道区中的最小浓度在氢离子在沟道区中的最大浓度的0.9倍以内。 在本发明的示例性实施例中，栅极图案的所述多个栅极孔还设置在栅极图案的与 氧化物半导体层的沟道区叠置的区域中。 在本发明的示例性实施例中，设置在栅极图案的与沟道区叠置的区域中的所述多 个栅极孔的布置密度低于设置在栅极图案的不与沟道区叠置的区域中的所述多个栅极孔 的布置密度。 附图说明 通过参照附图详细地描述本发明的示例性实施例，本发明的以上和其它特征将变 得更加明显，在附图中： 图1是根据本发明的示例性实施例的显示装置的示意性框图； 图2是根据本发明的示例性实施例的显示装置的像素的电路图； 图3是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的像素的氧化物半导体层和栅 极图案的布局图； 图4是沿着图3的线IV–IV'截取的剖视图； 图5是图4的区域A和区域B的放大视图； 图6是沿着图4的线VI-VI'截取的剖视图； 5 CN 111554736 A 说　明　书 3/15 页 图7是图6的区域C的放大视图； 图8是示出根据本发明的示例性实施例的氧化物半导体层的栅电极和沟道区的平 面图； 图9是示出根据晶体管的沟道长度的阈值电压(Vth)的曲线图； 图10是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的像素的氧化物半导体层和 栅极图案的布局图； 图11是图10的剖视图； 图12A和图12B是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的像素的氧化物半 导体层和栅极图案的布局图； 图13是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的像素的氧化物半导体层和 栅极图案的布局图； 图14是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的像素的氧化物半导体层和 栅极图案的布局图； 图15是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的像素的氧化物半导体层和 栅极图案的布局图； 图16是图15的剖视图； 图17是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的像素的氧化物半导体层和 栅极图案的布局图； 图18是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的像素的氧化物半导体层和 栅极图案的布局图；以及 图19是图18的剖视图。