技术摘要：
本发明提供了一种晶闸管关断时间的测定方法及测定装置，在dVD/dt＜(dVD/dt)临界的情况下，在测试装置中操作被测器件；初始化关断延迟时间Toff；在晶闸管处于第一电位时，触发所述被测器件，对应于在重新施加正向电压二极管期间触发其传导模式；计入由于施加到MOSFET栅  全部
背景技术：
硅晶闸管广泛应用于如高压直流(HVDC)电力系统等大功率系统。这些高压直流电 力系统由于易受雷击或短路的影响，面临着很高的故障风险。由于晶闸管对雷击引起的浪 涌具有鲁棒性，因此它是高压直流电力系统和换向器中最适合使用的元件之一。然而，在较 高开关频率下运行的晶闸管的限制因素之一是其电路换相关断时间tq，定义为从过零电流 瞬间(反向恢复电流开始流动)到正向阻断电压可以在晶闸管上重新施加而无需接通的瞬 间之间的时间。在所有硬开关电源电路以及工作频率超过几千赫兹的电路中，必须了解关 断时间。关断时间tq参数是在较高开关频率下应用晶闸管时的一个限制因素。 因此，准确测量tq及其随运行条件的变化仍是晶闸管换流器在高开关频率下运行 的关键任务，在相关技术下，晶闸管关断时间仅在一些商业晶闸管的数据表中提供，导致晶 闸管关断时间的应用范围较窄。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种晶闸管关断时间的测定方法及测定装置，解决现有技 术中晶闸管关断时间的应用范围较窄的问题。 为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案： 根据本发明的一个方面，本发明提供一种晶闸管关断时间的测定方法，包括：在 dVD/dt＜(dVD/dt)临界的情况下，在测试装置中操作被测器件；初始化关断延迟时间Toff；在晶 闸管处于第一电位时，触发所述被测器件，对应于在重新施加正向电压二极管期间触发其 传导模式；计入由于施加到MOSFET栅极的脉冲宽度的增加而自动增加的Toff，并且每次都检 查晶闸管的行为状态；若晶闸管处于第二电位时，则针对在测量过程算法开始时固定的期 望操作条件计算被测器件的tq值。 根据本公开的一方面，提供了一种晶闸管关断时间的测定装置，包括：操作模块， 用于在dVD/dt＜(dVD/dt)临界的情况下，在测试装置中操作被测器件；初始化模块，用于初始 化关断延迟时间Toff；触发模块，用于在晶闸管处于第一电位时，触发所述被测器件，对应于 在重新施加正向电压二极管期间触发其传导模式；检查模块，用于计入由于施加到MOSFET 栅极的脉冲宽度的增加而自动增加的Toff，并且每次都检查晶闸管的行为状态；计算模型， 用于若晶闸管处于第二电位时，则针对在测量过程算法开始时固定的期望操作条件计算被 测器件的tq值。 根据本公开的一方面，提供了一种计算机可读程序介质，其存储有计算机程序指 令，当所述计算机程序指令被计算机执行时，使计算机执行根据上述的方法。 根据本公开的一方面，提供了一种电子装置，包括：处理器；存储器，所述存储器上 4 CN 111596191 A 说　明　书 2/7 页 存储有计算机可读指令，所述计算机可读指令被所述处理器执行时，实现上述的方法。 由上述技术方案可知，本发明实施例至少具有如下优点和积极效果： 在本发明的一些实施例所提供的技术方案中，在dVD/dt＜(dVD/dt)临界的情况下，在 测试装置中操作被测器件；初始化关断延迟时间Toff；在晶闸管处于第一电位时，触发所述 被测器件，对应于在重新施加正向电压二极管期间触发其传导模式；计入由于施加到 MOSFET栅极的脉冲宽度的增加而自动增加的Toff，并且每次都检查晶闸管的行为状态；若晶 闸管处于第二电位时，则针对在测量过程算法开始时固定的期望操作条件计算被测器件的 tq值，其中，在多个阶段循环中重复测量被测件的tq参数，且能够较快地确定高频情况下运 行的晶闸管的限制因素，进而对高压直流电力系统和换向器中使用的晶闸管的老化情况进 行预测，从而提高工业设备的使用可靠性和提高晶闸管关断时间的应用范围。 附图说明 图1是根据一示例性实施例示出的一种晶闸管关断时间的测定方法的流程图。 图2是根据一示例性实施例示出的晶闸管设计参数提取方法的基本流程图。 图3是根据一示例性实施例示出的晶闸管在A和B行为下的三个瞬态期间的电流和 电压的典型波形。 图4是根据一示例性实施例示出的晶闸管tq参数精确测量的实验电路原理图。 图5是根据一示例性实施例示出的IGBT、MOSFET和晶闸管栅极的实验控制信号时 序图。 图6是根据一示例性实施例示出的一种晶闸管关断时间的测定装置框图。 图7是根据一示例性实施例示出的一种电子装置的硬件图。 图8是根据一示例性实施例示出的一种晶闸管关断时间的测定方法的计算机可读 存储介质。