技术摘要：
本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种发光二极管及其制备方法。本发明通过选择梯度合金核壳结构量子点作为发光层，通过对QLED中的发光层厚度和排布精确调控实现了无效率滚降的QLEDs的构筑，解决了以往所有QLED中存在的器件外量子效率随着电流密度和亮度增加发生  全部
背景技术：
基于荧光量子点的发光二极管(QLEDs)由于具有良好的发光强度、色纯度以及低 成本等优势，使得其在照明领域有良好的应用前景。自1994年首个基于量子点的点值发光 器件构筑成功以来，发光二极管的三基色的外量子点效率已经达到了20％，然而几乎所有 的QLEDs均存在一个无法逾越的缺点，即器件的效率随着电流密度(亮度或电压)的升高发 生快速下降，这种现象叫做效率滚降，该现象是目前制约整个QLEDs领域发展和应用的至关 重要的难题。 研究表明，造成QLEDs效率滚降的原因主要有三种，包括：焦耳热、量子限域斯塔克 效应和俄歇复合。由于量子限域斯塔克效应是难以避免的。因此，如何通过克服焦耳热和俄 歇复合来抑制器件的效率滚降是实现QLEDs无效率滚降的有效途径。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种发光二极管及其制备方法，本发明所述发光二极管具 有较低的滚降效率。 为了实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案： 本发明提供了一种发光二极管，包括依次层叠设置的底电极、空穴注入层、空穴传 输层、发光层、电子传输层和顶电极，所述发光层包括梯度合金核壳结构的量子点层； 所述梯度合金核壳结构的量子点层中的梯度合金核壳结构的量子点的粒径≥ 10nm； 所述梯度合金核壳结构的量子点层的层数为1～2.5层； 所述梯度合金核壳结构的量子点以填隙的方式排列。 优选的，所述梯度合金核壳结构的量子点为CdSe/ZnxCd1-xSe/ZnSeyS1-y/ZnS、CdSe/ ZnxCd1-xSe/ZnSeyS1-y、CdSe/ZnxCd1-xSe/ZnS、CdSe/ZnxCd1-xSe、CdSe/ZnSeyS1-y/ZnS、ZnxCd1- xSe/ZnSeyS1-y/ZnS、ZnxCd1-xSe/ZnS、CdSe/ZnCdSe/ZnSe、ZnxCd1-xSe/ZnSe、ZnxCd1-xSe/ ZnSeyS1-y、ZnxCd1-xSeyS1-y或ZnxCd1-xSeyS1-y/ZnS；其中，0