技术摘要：
本发明公开了一种基于SSD的日志数据保存方法，包括：将日志数据中运行态的元数据配置为在SSD的内存物理地址中连续存放；为内存物理地址中元数据连续存放的区域划分预设数量的Buffer缓冲区，使所有的Buffer缓冲区具有预设循环顺序；按照预设循环顺序存入读写过程中产生  全部
背景技术：
随着互联网、云计算、物联网、大数据等技术的发展及广泛应用，在人类生活中，时 时刻刻都会产生海量的数据，这些海量的数据需要进行处理和存储，信息技术的高速发展 对存储系统的性能提出了更高的要求。固态硬盘因为其读写速度快、能耗低，而被广泛的应 用。 当前固态硬盘的使用变得越来越广泛，对固态硬盘的性能、容量的要求都更高，随 着闪存技术的发展、主控芯片的性能提高，固态硬盘的相关技术不断更新，使得能够尽可能 满足应用的需求。 当前固态硬盘使用的场景变得越来越复杂，对固态硬盘的要求也越来越高，无论 从性能还是稳定性上，都是有严格标准的，最重要的一方面就是性能的一致性，即，在固态 硬盘的使用过程中，是不允许读写性能的突变，这将导致应用无法预知固态硬盘的状态，从 而给应用的运行带来不必要的麻烦。如何保证固态硬盘性能的一致性成为了固态硬盘固件 研究的一个重要课题。 当前固态硬盘的设计中，由于FTL(Flash  Translation  Layer，闪存转换层)的固 有特性，物理容量的增加伴随着对于其他硬件单元的需求的增加，在SSD的固件设计中，存 在着多少元数据，如何管理这些元数据保证SSD(Solid  State  Drive，固态硬盘)的运行正 常，成为SSD固件设计中的重点问题。 在通常的SSD固件实现中，Journal数据的保存基本是按照更新量加原始量的方式 进行存储，并且采用多备份的方式进行存储，针对不同的元数据类型进行分别保存，这样可 能安全性更好，但是根据NAND的特性来说，SLC(Single  Level  Cell，单层单元存储技术) block的稳定性会远高于TLC(Trinary  Level  Cell，三层单元存储技术)block，在这一方面 上已经很好的保证了数据正确性，所以多备份及区分类型的方式不仅造成了资源的浪费还 增加了固件设计的复杂度。
技术实现要素：
有鉴于此，本发明实施例的目的在于提供一种基于SSD的日志数据(Journal  Data)的保存方法、装置、设备和介质。 基于上述目的，本发明一方面提供了一种基于SSD的日志数据保存方法，该方法包 括： 将日志数据中运行态的元数据配置为在SSD的内存物理地址中连续存放； 为内存物理地址中元数据连续存放的区域划分预设数量的Buffer缓冲区，使所有 的Buffer缓冲区具有预设循环顺序； 4 CN 111581126 A 说　明　书 2/9 页 按照预设循环顺序存入读写过程中产生的元数据的更新数据； 定义日志数据的内存逻辑地址与物理地址的映射表； 响应于一个Buffer缓冲区存满，对Buffer缓冲区中的数据执行NAND写操作，并对 SSD中未写入NAND的元数据执行预设长度的NAND写操作； 响应于NAND写操作完成，将相应的Buffer缓冲区排在预设循环顺序最后等待存储 元数据的更新数据。 在本发明的基于SSD的日志数据保存方法的一些实施方式中，方法还包括： 响应于收到内存访问请求，判断内存访问请求是否为日志访问请求； 响应于判断内存访问请求为日志访问请求，访问映射表，将访问请求的地址转换 为物理地址，并将根据转换后的物理地址访问到的数据返回给访问者。 在本发明的基于SSD的日志数据保存方法的一些实施方式中，方法还包括： 响应于收到地址映射修改请求，检查是否存在冲突； 响应于存在冲突，查找冲突的映射项并将映射项带回到SSD。 在本发明的基于SSD的日志数据保存方法的一些实施方式中，方法还包括： 在上电过程中，SSD对NAND执行坏块扫描操作； 根据坏块扫描操作，挑选若干NAND中的好块作为RAID组中出现坏块时的备选替换 块。 在本发明的基于SSD的日志数据保存方法的一些实施方式中，响应于一个Buffer 缓冲区存满，对Buffer缓冲区中的数据执行NAND写操作，并对SSD中未写入NAND的元数据执 行预设长度的NAND写操作还包括： 将Buffer缓冲区和预设长度配置为NAND最小写入单元的正整数倍。 本发明实施例的另一方面，还提供了一种基于SSD的日志数据保存装置，该装置包 括： 连续存放模块，连续存放模块配置为将日志数据中运行态的元数据配置为在SSD 的内存物理地址中连续存放； Buffer缓冲区配置模块，Buffer缓冲区配置模块配置为为内存物理地址中元数据 连续存放的区域划分预设数量的Buffer缓冲区，使所有的Buffer缓冲区具有预设循环顺 序； 更新数据存储模块，更新数据存储模块配置为按照预设循环顺序存入读写过程中 产生的元数据的更新数据； 映射模块，映射模块配置为定义日志数据的内存逻辑地址与物理地址的映射表； NAND写操作模块，所述NAND写操作模块配置为响应于一个Buffer缓冲区存满，对 Buffer缓冲区中的数据执行NAND写操作，并对SSD中未写入NAND的元数据执行预设长度的 NAND写操作； 排序模块，所述排序模块配置为响应于NAND写操作完成，将相应的Buffer缓冲区 排在预设循环顺序最后等待存储元数据的更新数据。 在本发明的基于SSD的日志数据保存装置的一些实施方式中，装置还包括请求判 断模块，请求判断模块配置为： 响应于收到内存访问请求，判断内存访问请求是否为日志访问请求； 5 CN 111581126 A 说　明　书 3/9 页 响应于判断内存访问请求为日志访问请求，访问映射表，将访问请求的地址转换 为物理地址，并将根据转换后的物理地址访问到的数据返回给访问者。 在本发明的基于SSD的日志数据保存装置的一些实施方式中，装置还包括冲突检 查模块，冲突检查模块配置为： 响应于收到地址映射修改请求，检查是否存在冲突； 响应于存在冲突，查找冲突的映射项并将映射项带回到SSD。 本发明实施例的另一方面，还提供了一种计算机设备，该计算机设备包括： 至少一个处理器；以及 存储器，存储器存储有可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行程序时执行 前述的基于SSD的日志数据保存方法。 本发明实施例的再一方面，还提供了一种计算机可读存储介质，计算机可读存储 介质存储有计算机程序，其特征在于，计算机程序被处理器执行时执行前述的基于SSD的日 志数据保存方法。 本发明至少具有以下有益技术效果：本发明采用统一的元数据存储方式，减少了 元数据保存的复杂性及元数据恢复的复杂性，极大的降低了SSD固件设计的难度，并提高了 模块的高科通用性及可维护性，并减少了NAND资源的消耗，降低了成本。 附图说明 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以 根据这些附图获得其他的实施例。 图1示出了根据本发明的基于SSD的日志数据保存方法的实施例的示意性框图； 图2示出了根据现有技术中的DDR中数据存放方式示意图； 图3示出了根据本发明的基于SSD的日志数据保存方法的实施例的DDR中元数据连 续存放方式示意图； 图4示出了根据本发明的基于SSD的日志数据保存方法的实施例的DDR中元数据连 续存放且不区分元数据类型的存放方式示意图； 图5示出了根据现有技术中的DDR中更新数据存放方式示意图； 图6示出了根据本发明的基于SSD的日志数据保存方法的实施例的Buffer缓冲区 划分方式示意图； 图7示出了根据本发明的基于SSD的日志数据保存方法的实施例的NAND写的方式 示意图； 图8示出了根据本发明的基于SSD的日志数据保存方法的实施例的地址映射状态 示意图； 图9示出了根据本发明的基于SSD的日志数据保存方法的实施例的判断访问请求 的流程图； 图10示出了根据本发明的基于SSD的日志数据保存方法的实施例的修改DDR地址 映射的流程图。 6 CN 111581126 A 说　明　书 4/9 页